聚焦EverSpin公司全網新聞事件、熱點話題、人物動態、產品資訊（2025年6月4日更新）
多種因素促成了 nvNITRO 存儲加速器的速度，包括 Everspin 的新型 1Gbit 自旋扭矩磁阻式 RAM (ST-MRAM)，具有高速、DDR4、SDRAM 兼容的 I/O...
Everspin 將其 256Mb STT-MRAM 吹捧為首款進入量產的垂直 MTJ STT-MRAM。Patla 表示，其 ST-DDR3 / ST-DDR4 接口的設計盡可能接近標準...
多種因素促成了 nvNITRO 存儲加速器的速度，包括 Everspin 的新型 1Gbit 自旋扭矩磁阻式 RAM (ST-MRAM)，具有高速、DDR4、SDRAM 兼容的 I/O...
Everspin 將其 256Mb STT-MRAM 吹捧為首款進入量產的垂直 MTJ STT-MRAM。Patla 表示，其 ST-DDR3 / ST-DDR4 接口的設計盡可能接近標準...