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圖片信息
GA10SICP12-263圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:GA10SICP12-263
  • 原始制造廠商:GeneSiC
  • 技術標準參數:TRANS SJT 1200V 25A D2PAK
  • 產品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
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  • 技術參數詳解:
  • 制造商產品型號:GA10SICP12-263
  • 制造商:GeneSiC Semiconductor
  • 描述:TRANS SJT 1200V 25A D2PAK
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產品系列:-
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:-
  • 技術:SiC(碳化硅結晶體管)
  • 漏源電壓(Vdss):1200V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):25A(Tc)
  • 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):-
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):100 毫歐 @ 10A
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):-
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):-
  • Vgs(最大值):-
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1403pF @ 800V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):170W(Tc)
  • 工作溫度:175°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:D2PAK(7-Lead)
  • GA10SICP12-263均從GeneSiC代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
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