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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：IRFU9N20D

原始制造廠商：IR，國際整流器

技術標準參數：MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK

產品應用分類：單端場效應管

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技術參數詳解：

制造商產品型號：IRFU9N20D

制造廠家名稱：IR（International Rectifier）已被英飛凌INFINEON收購

描述：MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK

系列：HEXFET

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：200V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：9.4A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：380 毫歐 @ 5.6A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：27nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：560pF @ 25V

功率 - 最大值：86W

安裝類型：通孔

產品封裝：TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB

供應商器件封裝：I-Pak

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