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圖片信息
IRL6372PBF圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:IRL6372PBF
  • 原始制造廠商:IR,國際整流器
  • 技術標準參數:MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
  • 產品應用分類:場效應管陣列
  • 點擊此處下載IRL6372PBF的原廠技術規格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數詳解:
  • 制造商產品型號:IRL6372PBF
  • 制造廠家名稱:IR(International Rectifier)已被英飛凌INFINEON收購
  • 描述:MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
  • 系列:HEXFET
  • FET 類型:2 個 N 溝道(雙)
  • FET 功能:邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss):30V
  • 電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):8.1A
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):17.9 毫歐 @ 8.1A,4.5V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 10μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):11nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1020pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:2W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 產品封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
  • 供應商器件封裝:8-SO
  • IRL6372PBF均從IR代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
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