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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：IPB65R190CFDAATMA1

原始制造廠商：Infineon，英飛凌

技術標準參數：MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術參數詳解：

制造商產品型號：IPB65R190CFDAATMA1

制造商：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產品系列：Automotive, AEC-Q101, CoolMOS?

零件狀態：有源

FET類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：650V

25°C時電流-連續漏極(Id)：17.5A（Tc）

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：190 毫歐 @ 7.3A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 700μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：68nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1850pF @ 100V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：151W（Tc）

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：D2PAK（TO-263AB）

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