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圖片信息
IPB80N06S2L-11圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號:IPB80N06S2L-11
  • 原始制造廠商:Infineon,英飛凌
  • 技術(shù)標準參數(shù):MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
  • 產(chǎn)品應用分類:單端場效應管
  • 點擊此處下載IPB80N06S2L-11的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • Infineon英飛凌公司完整型號:IPB80N06S2L-11
  • 制造廠家名稱:Infineon Technologies
  • 描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
  • 系列:OptiMOS?
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss):55V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):80A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):10.7 毫歐 @ 60A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 93μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):80nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):2075pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:158W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB
  • 供應商器件封裝:PG-TO263-3
  • IPB80N06S2L-11均從Infineon代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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