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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供TN2130K1-G（品牌: Microchip）充足現(xiàn)貨訂購、免費(fèi)樣品

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Microchip產(chǎn)品快速報(bào)價(jià)、當(dāng)日發(fā)貨、無最低起訂量

TN2130K1-G - 南皇電子長(zhǎng)期提供競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格、訂貨及技術(shù)支持，Microchip代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：TN2130K1-G

原始制造廠商：Microchip，微芯科技

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 300V 85MA TO236AB

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：TN2130K1-G

制造商：Microchip Technology

描述：MOSFET N-CH 300V 85MA TO236AB

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：300V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：85mA（Tj）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：25 歐姆 @ 120mA，4.5V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 1mA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：-

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：50pF @ 25V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：360mW（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：TO-236AB（SOT23）

TN2130K1-G均從Microchip代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

關(guān)注度比較高的相關(guān)Microchip產(chǎn)品：

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