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圖片信息
APTGT200DH60G圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:APTGT200DH60G
  • 原始制造廠商:Microsemi,美高森美
  • 技術標準參數:IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
  • 產品應用分類:IGBT模塊
  • 點擊此處下載APTGT200DH60G的原廠技術規格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數詳解:
  • Microsemi美高森美完整型號:APTGT200DH60G
  • 制造廠家名稱:Microsemi Power Products Group
  • 描述:IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
  • 系列:-
  • IGBT 類型:溝道和場截止
  • 配置:非對稱橋
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):290A
  • 功率 - 最大值:625W
  • 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on):1.9V @ 15V,200A
  • 電流 - 集電極截止(最大值):250μA
  • 不同 Vce 時的輸入電容 (Cies):12.3nF @ 25V
  • 輸入:標準
  • NTC 熱敏電阻:無
  • 安裝類型:底座安裝
  • 封裝/外殼:SP6
  • 供應商器件封裝:SP6
  • APTGT200DH60G均從Microsemi代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
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    Microsemi產品廣泛的應用范圍
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