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圖片信息
APTM100TDU35PG圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:APTM100TDU35PG
  • 原始制造廠商:Microsemi,美高森美
  • 技術標準參數:MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P
  • 產品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 點擊此處下載APTM100TDU35PG的原廠技術規格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數詳解:
  • 制造商產品型號:APTM100TDU35PG
  • 制造商:Microsemi Corporation
  • 描述:MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 產品系列:-
  • 零件狀態:停產
  • FET類型:6 N-溝道(3 相橋)
  • FET功能:標準
  • 漏源電壓(Vdss):1000V(1kV)
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):22A
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):420 毫歐 @ 11A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):186nC @ 10V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):5200pF @ 25V
  • 功率-最大值:390W
  • 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:底座安裝
  • 封裝:SP6
  • APTM100TDU35PG均從Microsemi代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
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