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圖片信息
APTM120DA30CT1G圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:APTM120DA30CT1G
  • 原始制造廠商:Microsemi,美高森美
  • 技術標準參數:MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
  • 產品應用分類:場效應管模塊
  • 點擊此處下載APTM120DA30CT1G的原廠技術規格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數詳解:
  • Microsemi美高森美完整型號:APTM120DA30CT1G
  • 制造廠家名稱:Microsemi Power Products Group
  • 描述:MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
  • 系列:POWER MOS 8?
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:標準
  • 漏源極電壓 (Vdss):1200V(1.2kV)
  • 電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):31A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):360 毫歐 @ 25A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):560nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):14560pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:657W
  • 安裝類型:底座安裝
  • 封裝/外殼:SP1
  • 供應商器件封裝:SP1
  • APTM120DA30CT1G均從Microsemi代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
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