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圖片信息
PHKD6N02LT,518圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:PHKD6N02LT,518
  • 原始制造廠商:NXP,恩智浦半導體
  • 技術標準參數(shù):MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1
  • 產(chǎn)品應用分類:場效應管陣列
  • 點擊此處下載PHKD6N02LT,518的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數(shù)詳解:
  • NXP恩智浦完整型號:PHKD6N02LT,518
  • 制造廠家名稱:NXP Semiconductors
  • 描述:MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1
  • 系列:TrenchMOS?
  • FET 類型:2 個 N 溝道(雙)
  • FET 功能:邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss):20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):10.9A
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):20 毫歐 @ 3A,5V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):15.3nC @ 5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):950pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:4.17W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
  • 供應商器件封裝:8-SO
  • PHKD6N02LT,518均從NXP代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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    深圳市南皇電子有限公司 - PHKD6N02LT,518 - NXP公司芯片現(xiàn)貨領導代理商

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