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圖片信息
PHT6NQ10T圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:PHT6NQ10T
  • 原始制造廠商:Nexperia,安世半導體
  • 技術標準參數:MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
  • 產品應用分類:FET,MOSFET - 單-晶體管
  • 點擊此處下載PHT6NQ10T的原廠技術規格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數詳解:
  • Nexperia公司器件型號:PHT6NQ10T,135
  • 制造商:Nexperia USA Inc.(安世半導體)-2017年從NXP分離
  • 功能總體描述:MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
  • 所屬類別:FET,MOSFET - 單-晶體管
  • 系列:TrenchMOS??
  • 零件狀態:在售
  • FET 類型:N 溝道
  • 技術:MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源極電壓(Vdss):100V
  • 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3A(Ta)
  • 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值):21nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):633pF @ 25V
  • Vgs(最大值):±20V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):1.8W(Ta),8.3W(Tc)
  • 不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值):90 毫歐 @ 3A,10V
  • 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝
  • Nexperia公司標準封裝:SOT-223
  • 封裝形式:TO-261-4,TO-261AA
  • PHT6NQ10T的標準包裝數量(SPQ):4000 PCS
  • PHT6NQ10T均從Nexperia代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
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