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圖片信息
ECH8402-TL-E圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號:ECH8402-TL-E
  • 原始制造廠商:ON,ON安森美半導體
  • 技術(shù)標準參數(shù):MOSFET N-CH 30V 10A ECH8
  • 產(chǎn)品應用分類:FET - 單
  • 點擊此處下載ECH8402-TL-E的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • ON安森美半導體完整型號: ECH8402-TL-E
    制造廠家名稱: SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
    功能總體簡述: MOSFET N-CH 30V 10A ECH8
    系列: -
    FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET 功能: 邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動
    漏源極電壓(Vdss): 30V
    電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 10A(Ta)
    不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 15 毫歐 @ 5A,10V
    不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): -
    不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 28nC @ 10V
    不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 1400pF @ 10V
    功率 - 最大值: 1.6W
    安裝類型: 表面貼裝
    產(chǎn)品封裝: 8-SMD,扁平引線
    供應商器件封裝: 8-ECH
    ECH8402-TL-E均從ON代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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