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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：FQB630TM

技術標準參數：MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術參數詳解：

制造商產品型號：FQB630TM

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產品系列：QFET?

零件狀態：停產

FET類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：200V

25°C時電流-連續漏極(Id)：9A（Tc）

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：400 毫歐 @ 4.5A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：25nC @ 10V

Vgs（最大值）：±25V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：550pF @ 25V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：3.13W（Ta），78W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：D2PAK（TO-263AB）

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