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圖片信息
HGTP7N60A4D圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號:HGTP7N60A4D
  • 原始制造廠商:ON,ON安森美半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標準參數(shù):IGBT 600V 34A 125W TO220AB
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 點擊此處下載HGTP7N60A4D的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號:HGTP7N60A4D
  • 制造商:ON Semiconductor
  • 描述:IGBT 600V 34A 125W TO220AB
  • 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產(chǎn)品系列:-
  • 零件狀態(tài):停產(chǎn)
  • IGBT類型:-
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):34A
  • 電流-集電極脈沖(Icm):56A
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,7A
  • 功率-最大值:125W
  • 開關(guān)能量:55μJ(開),60μJ(關(guān))
  • 輸入類型:標準
  • 柵極電荷:37nC
  • 25°C時Td(開/關(guān))值:11ns/100ns
  • 測試條件:390V,7A,25 歐姆,15V
  • 反向恢復(fù)時間(trr):34ns
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • 封裝:TO-220-3
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