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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：NGD8201NT4G

技術標準參數：IGBT 440V 20A 125W DPAK

產品應用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術參數詳解：

制造商產品型號：NGD8201NT4G

制造商：ON Semiconductor

描述：IGBT 440V 20A 125W DPAK

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產品系列：-

零件狀態：停產

IGBT類型：-

電壓-集射極擊穿（最大值）：440V

電流-集電極(Ic)（最大值）：20A

電流-集電極脈沖(Icm)：50A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：1.9V @ 4.5V，20A

功率-最大值：125W

開關能量：-

輸入類型：邏輯

柵極電荷：-

25°C時Td（開/關）值：-/5μs

測試條件：300V，9A，1 千歐，5V

反向恢復時間(trr)：-

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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