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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：NGTG15N60S1EG

技術標準參數：IGBT NPT 600V 30A TO220

產品應用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術參數詳解：

制造商產品型號：NGTG15N60S1EG

制造商：ON Semiconductor

描述：IGBT NPT 600V 30A TO220

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產品系列：-

零件狀態：最後搶購

IGBT類型：NPT

電壓-集射極擊穿（最大值）：600V

電流-集電極(Ic)（最大值）：30A

電流-集電極脈沖(Icm)：120A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：1.7V @ 15V，15A

功率-最大值：117W

開關能量：550μJ（開），350μJ（關）

輸入類型：標準

柵極電荷：88nC

25°C時Td（開/關）值：65ns/170ns

測試條件：400V，15A，22 歐姆，15V

反向恢復時間(trr)：-

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝：TO-220-3

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