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圖片信息
SCTWA50N120圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:SCTWA50N120
  • 原始制造廠商:ST,意法半導體
  • 技術標準參數:SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
  • 產品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 點擊此處下載SCTWA50N120的原廠技術規格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數詳解:
  • 制造商產品型號:SCTWA50N120
  • 制造商:STMicroelectronics
  • 描述:SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產品系列:-
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:N 通道
  • 技術:SiCFET(碳化硅)
  • 漏源電壓(Vdss):1200V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):65A(Tc)
  • 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):20V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):69 毫歐 @ 40A,20V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):122nC @ 20V
  • Vgs(最大值):+25V,-10V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1900pF @ 400V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):318W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 200°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • 器件封裝:HiP247?
  • SCTWA50N120均從ST代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
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