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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：STGD7NB120ST4

技術(shù)標準參數(shù)：IGBT 1200V 10A 55W DPAK

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：STGD7NB120ST4

制造商：STMicroelectronics

描述：IGBT 1200V 10A 55W DPAK

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：PowerMESH?

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

IGBT類型：-

電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V

電流-集電極(Ic)（最大值）：10A

電流-集電極脈沖(Icm)：20A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，7A

功率-最大值：55W

開關(guān)能量：3.2μJ（開），15mJ（關(guān)）

輸入類型：標準

柵極電荷：29nC

25°C時Td（開/關(guān)）值：570ns/-

測試條件：960V，7A，1 千歐，15V

反向恢復(fù)時間(trr)：-

工作溫度：-

安裝類型：表面貼裝型

封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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