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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：RN1908,LF(CT

技術標準參數：NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH

產品應用分類：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預偏置

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技術參數詳解：

制造商產品型號：RN1908,LF(CT

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH

系列：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預偏置

零件狀態：有源

晶體管類型：2 個 NPN 預偏壓式（雙）

電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA

電壓-集射極擊穿（最大值）：50V

電阻器-基極(R1)：22 千歐

電阻器-發射極(R2)：47 千歐

不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)（最小值）：80 @ 10mA，5V

不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降（最大值）：300mV @ 250μA，5mA

電流-集電極截止（最大值）：500nA

頻率-躍遷：250MHz

功率-最大值：200mW

安裝類型：表面貼裝型

封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

RN1908,LF(CT均從Toshiba代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！

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