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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：TPC8012-H(TE12L,Q)

技術標準參數：MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP

產品應用分類：單端場效應管

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技術參數詳解：

東芝半導體公司完整型號：TPC8012-H(TE12L,Q)

制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：200V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：1.8A（Ta）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：400 毫歐 @ 900mA，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：11nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：440pF @ 10V

功率 - 最大值：-

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）

供應商器件封裝：8-SOP（5.5x6.0）

TPC8012-H(TE12L,Q)均從Toshiba代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！

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