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圖片信息
TPC8212-H(TE12LQ,M圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:TPC8212-H(TE12LQ,M
  • 原始制造廠商:Toshiba,東芝半導體
  • 技術標準參數(shù):MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
  • 產(chǎn)品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 點擊此處下載TPC8212-H(TE12LQ,M的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號:TPC8212-H(TE12LQ,M
  • 制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述:MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 產(chǎn)品系列:-
  • 零件狀態(tài):停產(chǎn)
  • FET類型:2 N-通道(雙)
  • FET功能:邏輯電平門
  • 漏源電壓(Vdss):30V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):6A
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):21 毫歐 @ 3A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):16nC @ 10V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):840pF @ 10V
  • 功率-最大值:450mW
  • 工作溫度:150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:8-SOIC(0.173,4.40mm 寬)
  • TPC8212-H(TE12LQ,M均從Toshiba代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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