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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：TPH4R606NH,L1Q

原始制造廠商：Toshiba，東芝半導體

技術標準參數：MOSFET N-CH 60V 32A 8SOP

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術參數詳解：

制造商產品型號：TPH4R606NH,L1Q

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 60V 32A 8SOP

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產品系列：U-MOSVIII-H

零件狀態：有源

FET類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：60V

25°C時電流-連續漏極(Id)：32A（Ta）

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：6.5V，10V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：4.6 毫歐 @ 16A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 500μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：49nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：3965pF @ 30V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：1.6W（Ta），63W（Tc）

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：8-SOP Advance（5x5）

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