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圖片信息
TPN4R712MD,L1Q圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:TPN4R712MD,L1Q
  • 原始制造廠商:Toshiba,東芝半導體
  • 技術標準參數:MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
  • 產品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
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  • 技術參數詳解:
  • 制造商產品型號:TPN4R712MD,L1Q
  • 制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述:MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產品系列:U-MOSVI
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:P 通道
  • 技術:MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):20V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):36A(Tc)
  • 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):2.5V,4.5V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):4.7 毫歐 @ 18A,4.5V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):1.2V @ 1mA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):65nC @ 5V
  • Vgs(最大值):±12V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):4300pF @ 10V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):42W(Tc)
  • 工作溫度:150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:8-TSON Advance(3.3x3.3)
  • TPN4R712MD,L1Q均從Toshiba代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
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