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圖片信息
XK1R9F10QB,LXGQ圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:XK1R9F10QB,LXGQ
  • 原始制造廠商:Toshiba,東芝半導體
  • 技術標準參數:MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
  • 產品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
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  • 技術參數詳解:
  • 制造商產品型號:XK1R9F10QB,LXGQ
  • 制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產品系列:U-MOSX-H
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:N 通道
  • 技術:MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):100V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):160A(Ta)
  • 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):6V,10V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):1.92 毫歐 @ 80A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):184nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1150pF @ 10V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):375W(Tc)
  • 工作溫度:175°C
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:TO-220SM(W)
  • XK1R9F10QB,LXGQ均從Toshiba代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
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