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深圳市南皇電子有限公司長期提供SIZ980BDT-T1-GE3（品牌: Vishay）充足現(xiàn)貨訂購、免費樣品

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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：SIZ980BDT-T1-GE3

原始制造廠商：Vishay，威世

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET DUAL N-CH 30V PPAIR 6 X 5

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：SIZ980BDT-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET DUAL N-CH 30V PPAIR 6 X 5

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產(chǎn)品系列：TrenchFET? Gen IV

零件狀態(tài)：有源

FET類型：2 個 N 通道（雙），肖特基

FET功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：23.7A（Ta），54.8A（Tc），54.3A（Ta），197A（Tc）

不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：4.39 毫歐 @ 15A，10V，1.06 毫歐 @ 19A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：18nC，79nC @ 10V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：790pF，3655pF @ 15V

功率-最大值：3.8W（Ta），20W（Tc），5W（Ta），66W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：8-PowerPair?

SIZ980BDT-T1-GE3均從Vishay代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

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