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圖片信息
SQ4940AEY-T1-GE3圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:SQ4940AEY-T1-GE3
  • 原始制造廠商:Vishay,威世
  • 技術標準參數:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
  • 產品應用分類:場效應管陣列
  • 點擊此處下載SQ4940AEY-T1-GE3的原廠技術規格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數詳解:
  • Vishay威世半導體原廠型號:SQ4940AEY-T1-GE3
  • 制造商:Vishay Siliconix
  • 描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
  • 系列:自動, AEC-Q101, TrenchFET
  • FET 類型:2 個 N 溝道(雙)
  • FET 功能:邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss):40V
  • 電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):8A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):24 毫歐 @ 5.3A, 10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):43nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):741pF @ 20V
  • 功率 - 最大值:4W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
  • 供應商器件封裝:8-SOIC
  • SQ4940AEY-T1-GE3均從Vishay代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
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