鎧俠 (Kioxia，原東芝半導體Toshiba)今日宣布，該公司已成功開發(fā)具有112層垂直堆疊結構的第五代BiCS FLASH™三維(3D)閃存。鎧俠計劃開始在2020年第一季度為特定應用提供樣品，新產(chǎn)品具有512 Gb（64千兆字節(jié)）容量并采用TLC（每單元3位數(shù)據(jù)）技術*1。這款新產(chǎn)品旨在滿足對各種應用不斷增長的位需求，包括傳統(tǒng)移動設備、消費類和企業(yè)類固態(tài)硬盤(SSD)、新的5G網(wǎng)絡支持的新興應用、人工智能和自動駕駛車輛。
展望未來，鎧俠將其新的第五代工藝技術應用于更大容量的閃存產(chǎn)品，例如1 Tb（128千兆字節(jié)）TLC和1.33 Tb QLC（每單元4位數(shù)據(jù)）產(chǎn)品。
鎧俠創(chuàng)新的112層堆疊工藝技術與先進的電路和制造工藝技術相結合，與96層堆疊工藝相比，將存儲單元陣列密度提高約20%。因此，每片硅晶圓可以制造的存儲容量更高，從而也降低了每位的成本（Bit-cost）。此外，它將接口速度提高50%，并提供更高的寫性能和更短的讀取延遲。
自2007率先發(fā)布采用3D堆疊結構的閃存以來*2 ，鎧俠一直在推進3D閃存的開發(fā)，并積極推廣BiCS FLASH™，以滿足對更小芯片尺寸和更大容量的需求。
第五代BiCS FLASH™是與技術和制造合作伙伴西部數(shù)據(jù)公司(Western Digital Corporation)共同開發(fā)的。它將在鎧俠的四日市工廠和新建的北上工廠生產(chǎn)。
注：
1. 并非所有功能都已經(jīng)過測試，且設備特性將來可能變更。
2. 來源：鎧俠株式會社，截至2007年6月12日。
* 本文提及的所有其他公司名稱、產(chǎn)品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。
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